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Simultaneous information and energy transfer (SIET) is attracting much attention as an effective method to provide green energy supply for mobiles. However, low power level of harvested energy from RF spectrum limits application of this technique. Thanks to improvement of sensitivity and efficiency of RF energy harvesting circuit as well as dense deployment of small cell base stations, SIET becomes more practical. In this paper, we propose a unified receiver model for SIET in LTE-A small cell base station networks, formulate a feasibility problem with Poisson point process model and analyze the feasibility for a special and practical scenario. The results show that it is feasible for mobiles to charge the secondary battery with harvested energy from BSs, but it is still impractical to directly charge the primary battery or operate without any battery at all.

Este ejemplo hace uso de los paquetes circuitikz y siunitx para dibujar el esquema de un amplificador de 18W a base de transistores bipolares y MOSFET. El circuito fue tomado de http://www.circuitstoday.com/mosfet-amplifier-circuits.

Este ejemplo representa un oscilador de desplazamiento de fase realizado con un transistor JFET Canal-N, dos resistencias y una red de re-alimentación constituida por tres resistencias y tres condensadores idénticos. El condensador CS se utiliza para una configuración de drenaje común y CO permite desacoplar la salida de la red de re-alimentación. Esta red es destacada en un recuadro coloreado de fondo, que se genera usando la biblioteca de TiKZ "backgrounds" Notaciones: Vo = tensión de salida. VDD= polarización positiva en el terminal de drenaje. Todos los componentes eléctricos y electrónicos carecen de valores o tipos. Este esquema es una adaptación de la figura que se encuentra en la página http://www.circuitstoday.com/fet-applications.

Este ejemplo representa el esquema de un amplificador diferencial construido con un amplificador operacional y cinco resistencias, el cual se usa para calcular la ganancia de la diferencia de dos señales independientes. Las notaciones son las siguientes: v1: tensión de entrada 1. v2: tensión de entrada 2. R1: resistencia. R2: resistencia. RL: resistencia de carga. vo: tensión de salida. Este esquema es una adaptación del que se encuentra en el la página 76, Capítulo 1 del texto "Electrónica, 2da Edición" de Allan R. Hambley, publicado en idioma español por la editorial Pearson Educación.

Este relatório busca aprimorar e aumentar o conhecimento obtido em aula através de cálculos, simulações, montagens e testes de circuitos multiplicadores de tensão.

An experiment investigating full wave rectification, for the purposes of producing a steady DC output. This is implemented using every half-cycle input from the supply voltage instead of every other half, this is known as a full wave rectifier.

Este ejemplo representa los cuatro diferentes modelos de amplificadores existentes: amplificador de tensión, de corriente, de trasnconductancia y de transresistencia. Cualquier amplificador puede ser convertido en cualquier otro modelo. Las notaciones son las siguientes: vi: tensión de entrada. ii: corriente de entrada. Ri: resistencia de entrada. vo: tensión de salida. io: corriente de salida. Ro: resistencia de salida. Avo: Ganancia de tensión en vacío. Aisc: Ganancia de corriente en cortocircuito. Gmsc: Ganancia de transconductancia en cortocircuito, en Siemens. Rmoc: Ganancia de resistencia en circuito abierto, en Ohms. Las figuras con forma de diamante representan fuentes controladas por las tensiones o corrientes de entrada de cada una de los amplificadores. Los esquemas son una adaptación de los que se encuentran en el Capítulo 1 del texto "Electrónica, 2da Edición" de Allan R. Hambley, publicado en idioma español por la editorial Pearson Educación.

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Practica2 receptores